什么是射频芯片？射频（ RF ， Radio Frequency） ， 表示可以辐射到空间的电磁频率， 频率范围从300kHz～300GHz之间。射频是一种高频交流变化电磁波的简称。

射频芯片， 是能够将射频信号和数字信号进行转化的芯片， 具体而言， 包括RF收发机、 功率放大器（PA） 、 低噪声放大器（LNA） 、 滤波器、 射频开关（Switch） 、 天线调谐开关（Tuner） 等。射频前端器件均有由半导体工艺制备，用于手机端的功率放大器和低噪声放大器主要基于GaN、 GaAs、 SOI、 SiGe、 Si（用于基站端的大功率功率放大器主要采用GaAs和GaN）。滤波器主要品类有SAW和BAW两种，均采用压电材料做基底。RF开关主要基于CMOS、 Si、 GaAs和GaN材料。

射频芯片：分立式和模组 。射频前端模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个模组，从而提高集成度与性能并使体积小型化。根据集成方式的不同可分为DiFEM（集成射频开关和滤波器）、 LFEM(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)、 FEMiD（集成射频开关、滤波器和双工器）、 PAMiD（集成多模式多频带PA和FEMiD）等模组组合。

持续增加的射频前端器件数量和PCB板可用面积趋紧之间的矛盾促进射频前端模组化发展， 越来越多的分立式射频前端芯片通过SiP技术封装在同一颗大芯片里面。从Broadcom的发展来看， 2007~2010年主要是分立的射频前端器件， 2011~2013年是单颗PA模组， 2014年以来持续升级， 已经实现多频段PA模组整合。

射频器件本质上是半导体器件， 4G普及高峰过后，射频器件厂商成长性衰退， 2014年以来，射频器件厂商收购兼并持续进行。2014年TriQuint与RFMD合并成为Qorvo，2016年高通与TDK共同出资建立RF360， Avago收购Broadcom， 传统半导体芯片大厂持续整合，通过收购或者共同投资将各自优势产品结合，寻求产业链更有力地位，争取做到多品类器件供应。

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